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近来举行的我国闪存商场峰会（ChinaFlashMarketSummit2017）上，我国闪存商场（ChinaFlashMarket）总经理邰炜猜测，2107年我国NANDFlash存储密度将到达1620亿GB，同比添加40%，现已继续了超越一年的闪存芯片求过于供现象，在部分商场仍将继续到年末。

2016年开端，全球闪存芯片工厂开端规划技能晋级，几乎在同一时刻段从本来的2D制程技能向3D制程晋级。但邰炜介绍，3DNAND由于是新技能，比2D技能要杂乱，工时更长，并且各家都一同投产3DNAND，导致晶圆出产设备供给不上，以至于原厂3DNAND量产时刻是要比原计划推延。

技能转化的空窗期导致商场缺货，NANDFlash价格呈现了有史以来最大且继续最长的上涨。据我国闪存商场ChinaFlashMarket报价，NANDFlash每GB的价格从2016年的0.12美金一路上涨至0.3美金，干流的eMMC价格上涨60%以上。由于这一提价规模，2017年大部分在售手机将价格上调100元，SSD价格涨幅则超越80%。

现在，3DNAND产能虽然在逐步添加，但仍不能彻底处理缺货问题，估计部分商场供货严重将继续到年末。

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